(графика: TechNews.bg) Водещите производители на памети започнаха „предварителна разработка“ на DDR6 памет от следващо поколение. Samsung, SK hynix и Micron вече са се свързали с доставчици на пластини, за да подготвят своите проекти, въпреки че стандартът JEDEC за DDR6 памет все още не е одобрен. Доставчиците на пластини работят с „непълни данни за проекта“, включително предварителна информация за дебелината на паметта, структурата на пластината и окабеляването. Целта е да се подготвят тестови проби, преди DDR6 да влезе в масово производство. „Компаниите за памет и производителите на пластини обикновено започват съвместна разработка повече от две години преди даден продукт да се появи на пазара. Предварителната разработка на DDR6 започна наскоро“, казва представител на производител на пластини пред The Elec. Очаква се DDR6 да осигури значително увеличение на скоростта спрямо DDR5. Според публикувана по-рано пътна карта на JEDEC, скоростите на DDR6 могат да достигнат 17,6 Gbps, което е приблизително двойно повече от горната граница за DDR5. Това увеличение се дължи на новата архитектура на DDR6 с четири 24-битови подканала, която изисква изцяло нови подходи към целостта на сигнала. За сравнение, DDR5 използва два 32-битови подканала. Миналата година беше съобщено, че основните производители на памет, споменати по-горе, вече са преминали отвъд етапа на...