Учените от Университета „Фудан“ в Шанхай създадоха експериментална енергонезависима памет, в която за съхранението на един бит е достатъчен един-единствен електрон – най-малкият възможен носител на електрически заряд. За комерсиализирането на тази разработка ще бъде създадена компания, която възнамерява да пусне продукта на пазара в рамките на 3 до 5 години. Разработката получи името „Guiyi“. Публикация по проекта излезе на 16 юли в списанието Science. Предложената от учените памет е несравнимо по-плътна от съвременните варианти на флаш паметта. Днес всеки бит данни се съхранява в заряд, образуван от стотици хиляди електрони. Основната пречка по пътя към едноелектронната памет оставаше така нареченият паразитен краен капацитет. Електромагнитното поле между два електрода не може да бъде идеално и винаги води до натрупване на паразитен заряд, в шума на който лесно се губи зарядът от един електрон. За да потиснат паразитните явления, учените използваха атомно тънки двумерни материали и разработиха самоизравняваща се планарна архитектура, в която дрейнът, каналът и източникът са разположени в една равнина. Такава „обединена“ архитектура потисна крайните капацитивни ефекти, а слоят от графен служи като бариера, която не позволява на уловения електрон да напусне зоната за съхранение. Добавянето или отнемането на само един електрон в паметната клетка променя праговото напрежение на...