(графика: TechNews.bg) Изследователи от Университета на Илинойс в Ърбана-Шампейн създадоха нов производствен процес за триизмерно интегриране на силициеви чипове, който преодолява едно от най-сериозните ограничения пред бъдещото развитие на полупроводниковата индустрия. Технологията позволява изграждане на няколко слоя електронни схеми един върху друг при температури, съвместими със съвременните производствени процеси. Постижението е особено важно в момент, когато миниатюризацията на транзисторите започва да се сблъсква с фундаментални физични ограничения. Вместо да намаляват още размерите на елементите, инженерите предлагат нов подход – разширяване в третото измерение чрез вертикално подреждане на електронни схеми. В продължение на повече от шест десетилетия полупроводниковата индустрия следва закона на Мур, според който броят на транзисторите върху един чип се удвоява приблизително на всеки две години. Тази стратегия осигури безпрецедентен ръст в изчислителната мощност. Днес обаче производителите все по-често се сблъскват с ограничения, наложени от атомните размери на материалите и квантовомеханичните ефекти. Екипът, ръководен от проф. Цин Као от Колежа по инженерство Grainger, демонстрира процес за т.нар. монолитна триизмерна интеграция. При този подход всеки нов слой от транзистори се изгражда директно върху предходния. Това осигурява значително по-висока плътност на връзките между отделните нива в сравнение с използваните днес методи за свързване на готови силициеви пластини. Основното предизвикателство досега беше...